热退火用于消除离子注入造成的损伤，温度要低于杂质热扩散的温度，然而，杂质纵向...

问答题热退火用于消除离子注入造成的损伤，温度要低于杂质热扩散的温度，然而，杂质纵向分布仍会出现高斯展宽与拖尾现象，解释其原因。

1.问答题什么是离子分布的偏斜度和峭度，和标准高斯分布有什么区别？

2.问答题什么是离子注入的横向效应？同等能量注入时，As和B哪种横向效应更大？为什么？

3.问答题采用无定形掩膜的情况下进行注入，若掩蔽膜/衬底界面的杂质浓度减少至峰值浓度的1/10000，掩蔽膜的厚度应为多少？用注入杂质分布的射程和标准偏差写出表达式。

4.问答题离子在靶内运动时，损失能量可分核阻滞和电子阻滞，解释什么是核阻滞、电子阻滞？两种阻滞本领与注入离子能量具有何关系？

5.问答题 下图为一个典型的离子注入系统。（1）给出1~6数字标识部分的名称，简述其作用。（2）阐述部件2的工作原理。

6.问答题 Si-SiO₂界面电荷有哪几种？简述其来源及处理办法。

7.问答题一片硅片由0.3um厚的SiO₂薄膜覆盖。所需数据见下表，玻尔兹曼常数k=1.38×10^-23。（1）在1200℃下，采用H₂O氧化，使厚度增加0.5um需要多少时间？。（2）在1200℃下，采用干氧氧化，增加同样的厚度需要多少时间？

8.问答题简述在热氧化过程中杂质再分布的四种可能情况。

9.问答题说明影响氧化速率的因素。

10.问答题简述常规热氧化办法制备SiO₂介质薄膜的动力学过程，并说明在什么情况下氧化过程由反应控制或扩散控制。