①晶体内杂质浓度梯度; ②环境温度; ③杂质本身结构、性质; ④晶体衬底的结构。
①填隙式扩散 ②替位式扩散 ③填隙-替位式扩散
①图形转移到光刻胶层 ②图形从光刻胶层转移到晶圆层
最新试题
芯片粘接的工艺过程包括()。
CMP的设备构成包括()。
刻蚀工艺可以和以下哪个工艺结合来实现图形的转移?()
鸟嘴效应造成的不良影响有()。
CE定律发展面临的问题包括()。
如下哪个选项不是半导体器件制备过程中的主要污染物?()
掺杂后,退火的目的是()。
下面哪个选项不是集成电路工艺用化学气体质量的指标?()
硅暴露在空气中,在室温下即可产生二氧化硅层,厚度约为()。
三光检查主要是检查芯片粘贴和引线焊接之后有无各种废品。