单项选择题以下哪项不是STI工艺气体?()
A.SiH4
B.O2
C.N2O
D.Ar
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1.单项选择题CMP清洗部分的顺序是()。
A.兆声清洗(Meg)-SRD(甩干)-Brush(刷洗)
B.兆声清洗(Meg)-Brush(刷洗)-SRD(甩干)
C.Brush(刷洗)-兆声清洗(Meg)-SRD(甩干)
D.Brush(刷洗)-SRD(甩干)-兆声清洗(Meg)
2.单项选择题高电流注入机的扫描方式为()。
A.静电扫描
B.机械扫描
C.静电扫描与机械扫描结合
3.单项选择题下列选项属于BF3的特性的是()
A.黄色标识,有白烟
B.红色标识,臭大蒜味道
C.黑色标识,无色大蒜味
4.单项选择题离子注入机机架外壳和高压放电棒接地电阻小于()。
A.1Ω
B.5Ω
C.10Ω
6.判断题扩散的低压工艺有多晶、氮化硅和TEOS。
7.判断题LPCVD多晶的反应气体是二氯二氢硅。
8.判断题氮化硅去除使用的是磷酸药液。
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