在半导体中加入微量的其他元素的原子，可以改变半导体的导电能力和导电类型。
当MOSFET进入饱和区时有效沟道长度随漏源电压的变化而变化，从而漏电流略有增加。
沟道长度减小到一定程度后出现的一系列二级物理效应，如阈值电压的变化。
最新试题
掺杂后退火时间一般在（）。
下面哪个选项不是集成电路工艺用化学气体质量的指标？（）
硅烷法制备高纯硅的步骤不包括哪一项？（）
金属化中可选用的金属材料有（）。
下面哪道工序主要是针对晶圆切割之后在显微镜下进行晶圆r的外观检查，是否有出现废品？（）
光刻工艺对准误差包括（）。
目前制备SOI材料的主流技术有几种？（）
CMP的设备构成包括（）。
注入损伤与注入离子的以下哪个参数无关？（）
光刻工艺的设备核心是（）。
