最新试题
半导体工艺技术中,器件互连材料通常包括()等。
题型:多项选择题
利用2μm×6μm的多晶硅栅极覆盖在4μm×12μm薄氧化层的正中间构成一个MOS管,已知Cox=5×10-4pF/μm2,估算栅极电容。
题型:问答题
BiCMOS技术就是将()和()的优良性能集中在同一块集成电路器件中。BiCMOS综告了CMOS结构的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件结构的高电流驱动能力。
题型:多项选择题
版图设计的基本前提是什么?
题型:问答题
由于衬底材料的缘故会自动产生电容,这种电容称为()。
题型:单项选择题
图a中M1和M2为某CMOS工艺中的两个NMOS管,M1的W/L=12μm/6μm,M2的W/L=4μm/2μm,其它物理参数及偏置均相同。图b中给出了M1的漏极电流Id1随Vgs的变化曲线,请画出Id2的大致变化,并说明Id1和Id2有什么不同,并解释不同的主要原因。
题型:问答题
MOS器件按比例缩小后对器件特性有什么影响?
题型:问答题
把半导体级硅的多晶硅块,转换成一块大的单晶硅的过程,称作()。生长后的单晶硅被称为()。
题型:单项选择题
MOS器件存在哪些二阶效应?
题型:问答题
硅半导体工艺中的绝缘材料主要来源于硅自身产生的()材料等。
题型:多项选择题