A、从钢液中析出的
B、从奥氏体中析出的
C、从铁素中析出的
D、从马氏体中析出的
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A、形成了高密度位错
B、晶格发生畸变
C、晶格类型发生改变
D、析出亚稳定第二相粒子
A、正火
B、调质
C、退火
D、淬火+中温回火
A、淬火+低温回火
B、调质+表面淬火
C、渗碳+淬火+低温回火
D、淬火+中温回火
A、M+K
B、P+F
C、B下
D、M+P
A、淬火+低温回火
B、渗碳+淬火+低温回火
C、淬火+中温回火
D、氮化+淬火+低温回火
A、F+Fe3CIII
B、F+P
C、P+Fe3CII
D、P+Fe3CIII
A、完全退火
B、球化退火
C、再结晶退火
D、等温退火
A、F+G
B、F+P+G
C、P+G
D、Ld+G
A、铝基轴承合金
B、铅基轴承合金
C、铜基轴承合金
D、锌基轴承合金
A、L+α→β
B、L→α+β
C、γ→α+β
D、α+β→γ
最新试题
悬浮区熔的优点不包括()
原子晶体中的原子与原子之间的键能随原子间距的而迅速()
对于大注入下的直接复合,非平衡载流子的寿命不再是个常数,它与()。
用能量()禁带宽度的光子照射p-n结会产生光生伏特效应。
铸造多晶硅中氢的主要作用包括()
最有效的复合中心能级位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能级位置在()附近,常见的是少子陷阱。
下列哪一个迁移率的测量方法适合于低阻材料少子迁移率测量()
多晶硅的生产方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重掺硅废料提纯法4)西门子改良法5)SiCl4法6)气液沉淀法7)流化床法
属于晶体缺陷中面缺陷的是()
可用作硅片的研磨材料是()