A、珠光体
B、铁素体
C、渗碳体
D、马氏体
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A、从钢液中析出的
B、从奥氏体中析出的
C、从铁素中析出的
D、从马氏体中析出的
A、形成了高密度位错
B、晶格发生畸变
C、晶格类型发生改变
D、析出亚稳定第二相粒子
A、正火
B、调质
C、退火
D、淬火+中温回火
A、淬火+低温回火
B、调质+表面淬火
C、渗碳+淬火+低温回火
D、淬火+中温回火
A、M+K
B、P+F
C、B下
D、M+P
A、淬火+低温回火
B、渗碳+淬火+低温回火
C、淬火+中温回火
D、氮化+淬火+低温回火
A、F+Fe3CIII
B、F+P
C、P+Fe3CII
D、P+Fe3CIII
A、完全退火
B、球化退火
C、再结晶退火
D、等温退火
A、F+G
B、F+P+G
C、P+G
D、Ld+G
A、铝基轴承合金
B、铅基轴承合金
C、铜基轴承合金
D、锌基轴承合金
最新试题
最有效的复合中心能级位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能级位置在（）附近，常见的是少子陷阱。
影响单晶内杂质数量及分布的主要因素是（）①原材料中杂质的种类和含量；②杂质的分凝效应；③杂质的蒸发效应；④生长过程中坩埚或系统内杂质的沾污；⑤加入杂质量；
CZ法的主要流程工艺顺序正确的是（）
属于晶体缺陷中面缺陷的是（）
悬浮区熔的优点不包括（）
铸造多晶硅中的氧主要来源不包括（）
原子晶体中的原子与原子之间的键能随原子间距的而迅速（）
杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是（）
改良西门子法的显著特点不包括（）
光子传感器是利用某些半导体材料在入射光的照下，产生（）.使材料的电学性质发生变化。通过测量电学性质的变化，可以知道红外辐射的强弱。光子效应所制成的红外探测器。