A、完全退火
B、再结晶退火
C、正火
D、去应力退火
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A、二次渗碳体
B、共析渗碳体
C、一次渗碳体
D、共晶渗碳体
A、加强温度低于Ac3
B、加热温度高于AC3
C、保温时间过长
D、冷却速度大于VK
A、是位错马氏体
B、是孪晶马氏体
C、是过饱和的a固溶体
D、具有高的强度
A、珠光体
B、马氏体
C、回火屈氏体
D、回火索氏体
A、晶内偏析
B、纤维组织
C、晶粒粗大
D、网状渗碳体
A、珠光体
B、铁素体
C、渗碳体
D、马氏体
A、从钢液中析出的
B、从奥氏体中析出的
C、从铁素中析出的
D、从马氏体中析出的
A、形成了高密度位错
B、晶格发生畸变
C、晶格类型发生改变
D、析出亚稳定第二相粒子
A、正火
B、调质
C、退火
D、淬火+中温回火
A、淬火+低温回火
B、调质+表面淬火
C、渗碳+淬火+低温回火
D、淬火+中温回火
最新试题
直拉法生长单晶硅拉晶过程有几个主要阶段?()
在通常情况下,GaN呈()型结构。
用能量()禁带宽度的光子照射p-n结会产生光生伏特效应。
影响单晶内杂质数量及分布的主要因素是()①原材料中杂质的种类和含量;②杂质的分凝效应;③杂质的蒸发效应;④生长过程中坩埚或系统内杂质的沾污;⑤加入杂质量;
载流子的扩散运动产生扩散电流,漂移运动产生()电流。
一块半导体寿命τ=15µs,光照在材料中会产生非平衡载流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡载流子将衰减到原来的()。
只涉及到大约一个原子大小范围的晶格缺陷是()。
最有效的复合中心能级位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能级位置在()附近,常见的是少子陷阱。
下列哪个不是单晶常用的晶向()
下列哪一个迁移率的测量方法适合于低阻材料少子迁移率测量()