A、珠光体
B、马氏体
C、回火屈氏体
D、回火索氏体
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你可能感兴趣的试题
A、晶内偏析
B、纤维组织
C、晶粒粗大
D、网状渗碳体
A、珠光体
B、铁素体
C、渗碳体
D、马氏体
A、从钢液中析出的
B、从奥氏体中析出的
C、从铁素中析出的
D、从马氏体中析出的
A、形成了高密度位错
B、晶格发生畸变
C、晶格类型发生改变
D、析出亚稳定第二相粒子
A、正火
B、调质
C、退火
D、淬火+中温回火
A、淬火+低温回火
B、调质+表面淬火
C、渗碳+淬火+低温回火
D、淬火+中温回火
A、M+K
B、P+F
C、B下
D、M+P
A、淬火+低温回火
B、渗碳+淬火+低温回火
C、淬火+中温回火
D、氮化+淬火+低温回火
A、F+Fe3CIII
B、F+P
C、P+Fe3CII
D、P+Fe3CIII
A、完全退火
B、球化退火
C、再结晶退火
D、等温退火
最新试题
属于晶体缺陷中面缺陷的是()
一块半导体寿命τ=15µs,光照在材料中会产生非平衡载流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡载流子将衰减到原来的()。
与半导体相比较,绝缘体的价带电子激发到导带所需的能量()
下列选项中,对从石英到单晶硅的工艺流程是()
表面态中性能级位于费米能级以上时,该表面态为();
影响单晶内杂质数量及分布的主要因素是()①原材料中杂质的种类和含量;②杂质的分凝效应;③杂质的蒸发效应;④生长过程中坩埚或系统内杂质的沾污;⑤加入杂质量;
那个不是影响直拉单晶硅的电阻率均匀性的因素()
可用作硅片的研磨材料是()
CZ法的主要流程工艺顺序正确的是()
对于同时存在一种施主杂质和一种受主杂质的均匀掺杂的非简并半导体,在温度足够高、ni>>/ND-NA/时,半导体具有()半导体的导电特性。