A、20CrMnTi
B、40Cr
C、GCr15
D、Q235
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A、完全退火
B、等温退火
C、球化退火
D、正火
A、淬透性
B、淬硬性
C、淬透层深度
D、VK
A、完全退火
B、再结晶退火
C、正火
D、去应力退火
A、二次渗碳体
B、共析渗碳体
C、一次渗碳体
D、共晶渗碳体
A、加强温度低于Ac3
B、加热温度高于AC3
C、保温时间过长
D、冷却速度大于VK
A、是位错马氏体
B、是孪晶马氏体
C、是过饱和的a固溶体
D、具有高的强度
A、珠光体
B、马氏体
C、回火屈氏体
D、回火索氏体
A、晶内偏析
B、纤维组织
C、晶粒粗大
D、网状渗碳体
A、珠光体
B、铁素体
C、渗碳体
D、马氏体
A、从钢液中析出的
B、从奥氏体中析出的
C、从铁素中析出的
D、从马氏体中析出的
最新试题
杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中,当温度升高时,电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是()
影响单晶内杂质数量及分布的主要因素是()①原材料中杂质的种类和含量;②杂质的分凝效应;③杂质的蒸发效应;④生长过程中坩埚或系统内杂质的沾污;⑤加入杂质量;
把磷化镓在氮气氛中退火,会有氮取代部分的磷,这会在磷化镓中出现()。
对于同时存在一种施主杂质和一种受主杂质的均匀掺杂的非简并半导体,在温度足够高、ni>>/ND-NA/时,半导体具有()半导体的导电特性。
最有效的复合中心能级位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能级位置在()附近,常见的是少子陷阱。
载流子的扩散运动产生扩散电流,漂移运动产生()电流。
CZ法的主要流程工艺顺序正确的是()
多晶硅的生产方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重掺硅废料提纯法4)西门子改良法5)SiCl4法6)气液沉淀法7)流化床法
下列哪一个迁移率的测量方法适合于低阻材料少子迁移率测量()
硅片抛光在原理上不可分为()