A、完全退火
B、等温退火
C、球化退火
D、正火
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A、淬透性
B、淬硬性
C、淬透层深度
D、VK
A、完全退火
B、再结晶退火
C、正火
D、去应力退火
A、二次渗碳体
B、共析渗碳体
C、一次渗碳体
D、共晶渗碳体
A、加强温度低于Ac3
B、加热温度高于AC3
C、保温时间过长
D、冷却速度大于VK
A、是位错马氏体
B、是孪晶马氏体
C、是过饱和的a固溶体
D、具有高的强度
A、珠光体
B、马氏体
C、回火屈氏体
D、回火索氏体
A、晶内偏析
B、纤维组织
C、晶粒粗大
D、网状渗碳体
A、珠光体
B、铁素体
C、渗碳体
D、马氏体
A、从钢液中析出的
B、从奥氏体中析出的
C、从铁素中析出的
D、从马氏体中析出的
A、形成了高密度位错
B、晶格发生畸变
C、晶格类型发生改变
D、析出亚稳定第二相粒子
最新试题
下列是晶体的是()。
制约铸造多晶硅材料少子寿命的主要因素不包括()
如果杂质既有施主的作用又有受主的作用,则这种杂质称为()。
光子传感器是利用某些半导体材料在入射光的照下,产生().使材料的电学性质发生变化。通过测量电学性质的变化,可以知道红外辐射的强弱。光子效应所制成的红外探测器。
表面态中性能级位于费米能级以上时,该表面态为();
铸造多晶硅中的氧主要来源不包括()
下列选项中,对从石英到单晶硅的工艺流程是()
悬浮区熔的优点不包括()
最有效的复合中心能级位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能级位置在()附近,常见的是少子陷阱。
影响单晶内杂质数量及分布的主要因素是()①原材料中杂质的种类和含量;②杂质的分凝效应;③杂质的蒸发效应;④生长过程中坩埚或系统内杂质的沾污;⑤加入杂质量;