A.T12
B.9SiCr
C.W18Cr4V
D.YG3
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A、20CrMnTi
B、40Cr
C、GCr15
D、Q235
A、完全退火
B、等温退火
C、球化退火
D、正火
A、淬透性
B、淬硬性
C、淬透层深度
D、VK
A、完全退火
B、再结晶退火
C、正火
D、去应力退火
A、二次渗碳体
B、共析渗碳体
C、一次渗碳体
D、共晶渗碳体
A、加强温度低于Ac3
B、加热温度高于AC3
C、保温时间过长
D、冷却速度大于VK
A、是位错马氏体
B、是孪晶马氏体
C、是过饱和的a固溶体
D、具有高的强度
A、珠光体
B、马氏体
C、回火屈氏体
D、回火索氏体
A、晶内偏析
B、纤维组织
C、晶粒粗大
D、网状渗碳体
A、珠光体
B、铁素体
C、渗碳体
D、马氏体
最新试题
最有效的复合中心能级位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能级位置在()附近,常见的是少子陷阱。
直拉法生长单晶硅拉晶过程有几个主要阶段?()
硅片抛光在原理上不可分为()
一块半导体寿命τ=15µs,光照在材料中会产生非平衡载流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡载流子将衰减到原来的()。
对于大注入下的直接复合,非平衡载流子的寿命不再是个常数,它与()。
多晶硅的生产方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重掺硅废料提纯法4)西门子改良法5)SiCl4法6)气液沉淀法7)流化床法
光子传感器是利用某些半导体材料在入射光的照下,产生().使材料的电学性质发生变化。通过测量电学性质的变化,可以知道红外辐射的强弱。光子效应所制成的红外探测器。
那个不是影响直拉单晶硅的电阻率均匀性的因素()
下列哪个不是单晶常用的晶向()
在通常情况下,GaN呈()型结构。