问答题奥氏体形成的四个步骤是什么?
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5.问答题晶体有哪些特性?
6.单项选择题钢的淬透性主要决定于其()
A.碳含量
B.合金元素含量
C.冷却速度
D.过冷度
7.单项选择题下列铝合金中,被称为硅铝明的是()
A.ZL102
B.ZL202
C.ZL301
D.ZL402
8.单项选择题热锻模的最终热处理工艺应该是()
A.淬火+低温回火
B.淬火+中温回火
C.调质
D.调质后表面淬火
9.单项选择题T8钢奥氏体化后进行油淬,其组织为()
A.M
B.M+A残
C.M+B下+A残
D.M+T+A残
10.单项选择题对亚共析钢进行完全退火,其退火温度应为()
A.低于Ac1温度
B.高于Ac1温度而低于Ac3温度
C.等于Ac3温度
D.Ac3+30至50度
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如在半导体的禁带中有一个深杂质能级位于禁带中央,则它对电子的俘获率()空穴的俘获率。
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下列哪一个迁移率的测量方法适合于低阻材料少子迁移率测量()
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在通常情况下,GaN呈()型结构。
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把磷化镓在氮气氛中退火,会有氮取代部分的磷,这会在磷化镓中出现()。
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最有效的复合中心能级位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能级位置在()附近,常见的是少子陷阱。
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用能量()禁带宽度的光子照射p-n结会产生光生伏特效应。
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载流子的扩散运动产生扩散电流,漂移运动产生()电流。
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在光线作用下,能使物体产生一定方向的电动势的现象称()
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CZ法的主要流程工艺顺序正确的是()
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多晶硅的生产方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重掺硅废料提纯法4)西门子改良法5)SiCl4法6)气液沉淀法7)流化床法
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