A.5
B.6
C.8
D.10
您可能感兴趣的试卷
你可能感兴趣的试题
A.在检测完成后在收集工程建设时间
B.收集被检工程的图纸、施工验收资料
C.砖与砂浆的品种及有关原材料的测试资料
D.现场调查工程的结构形式、环境条件
A.原位轴压法
B.扁顶法
C.回弹法
D.原位单剪法和原位单砖双剪法
A.0.25mm
B.0.5mm
C.0.1mm
D.1.0mm
A.12
B.10
C.8
D.16
A.74±2
B.72±2
C.78±2
D.80±2
A.烧结普通砖
B.砌体多孔砖砌体
C.遭受火灾后的砌体
A.回弹法
B.扁式法
C.钻芯法
D.原位轴压法
A.桩基
B.墙、柱
C.梁、板
D.垫层
A.砂浆
B.混凝土
C.泥浆
D.水泥
最新试题
只涉及到大约一个原子大小范围的晶格缺陷是()。
如果杂质既有施主的作用又有受主的作用,则这种杂质称为()。
对于大注入下的直接复合,非平衡载流子的寿命不再是个常数,它与()。
最有效的复合中心能级位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能级位置在()附近,常见的是少子陷阱。
对于同时存在一种施主杂质和一种受主杂质的均匀掺杂的非简并半导体,在温度足够高、ni>>/ND-NA/时,半导体具有()半导体的导电特性。
可用作硅片的研磨材料是()
影响单晶内杂质数量及分布的主要因素是()①原材料中杂质的种类和含量;②杂质的分凝效应;③杂质的蒸发效应;④生长过程中坩埚或系统内杂质的沾污;⑤加入杂质量;
如在半导体的禁带中有一个深杂质能级位于禁带中央,则它对电子的俘获率()空穴的俘获率。
与半导体相比较,绝缘体的价带电子激发到导带所需的能量()
CZ法的主要流程工艺顺序正确的是()