A.1%
B.2%
C.3%
D.4%
您可能感兴趣的试卷
你可能感兴趣的试题
A.切割机的锯切深度不应小于240mm
B.机架应有足够的强度、刚度、稳定性
C.切割机的锯切深度不应小于370mm
D.切割机宜配备水冷却系统
A.M2.5
B.M5.0
C.M7.5
D.M10
A.30%
B.50%
C.60%
D.80%
A.每级荷载可取预估破坏荷载的10%
B.应在1min~1.5mim内均匀加完,然后恒载2min
C.加荷至预估破坏荷载的80%后,应按原定加荷速度连续加荷,直至槽间砌体破坏
D.加荷至预估破坏荷载的90%后,应按原定加荷速度连续加荷,直至槽间砌体破坏
A.4
B.5
C.6
D.7
A.5%
B.10%
C.15%
D.20%
A.5%
B.10%
C.15%
D.20%
A.2次
B.3次
C.4次
D.6次
A.380kN
B.400kN
C.450kN
D.480kN
A.3
B.4
C.5
D.6
最新试题
在通常情况下,GaN呈()型结构。
只涉及到大约一个原子大小范围的晶格缺陷是()。
最有效的复合中心能级位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能级位置在()附近,常见的是少子陷阱。
载流子的扩散运动产生扩散电流,漂移运动产生()电流。
表面态中性能级位于费米能级以上时,该表面态为();
杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中,当温度升高时,电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是()
可用作硅片的研磨材料是()
与半导体相比较,绝缘体的价带电子激发到导带所需的能量()
下列是晶体的是()。
铸造多晶硅中的氧主要来源不包括()