光刻工艺的设备核心是（）。

金属化中可选用的金属材料有（）。

IC集成度和性能得以不断提高的理论基础是（）。

下面哪些元素属于半径较小的杂质原子？（）

掺杂后退火时间一般在（）。

光刻工艺对准误差包括（）。

如下哪个选项不是半导体器件制备过程中的主要污染物？（）

碳纳米管场效应晶体管是未来晶体管发展趋势之一。

当许多损伤区连在一起时就会形成连续的非晶层，开始形成连续非晶层的注入剂量称为（）。

新的平坦化方法有哪几个？（）