MIS结构发生多子积累时，表面的导电类型与体材料的类型（）。

单项选择题MIS结构发生多子积累时，表面的导电类型与体材料的类型（）。

A.相同
B.不同
C.无关

1.单项选择题在热平衡状态时，P型半导体中的电子浓度和空穴浓度的乘积为常数，它和（）有关

A.杂质浓度和温度
B.温度和禁带宽度
C.杂质浓度和禁带宽度
D.杂质类型和温度

2.单项选择题对于一定的N型半导体材料，在温度一定时，减小掺杂浓度，费米能级会（）。

A.上移
B.下移
C.不变

3.单项选择题与绝缘体相比，半导体的价带电子激发到导带所需要的能量（）

A.比绝缘体的大
B.比绝缘体的小
C.和绝缘体的相同

4.名词解释深杂质能级

5.名词解释能带

6.单项选择题把磷化镓在氮气氛中退火，会有氮取代部分的磷，这会在磷化镓中出现（）

A.改变禁带宽度
B.产生复合中心
C.产生空穴陷阱
D.产生等电子陷阱

7.单项选择题一块半导体寿命τ=15µs，光照在材料中会产生非平衡载流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡载流子将衰减到原来的（）。

A.1/4
B.1/e
C.1/e2
D.1/2

8.单项选择题同一种施主杂质掺入甲、乙两种半导体，如果甲的相对介电常数εr是乙的3/4，mn*/m0值是乙的2倍，那么用类氢模型计算结果是（）

A.甲的施主杂质电离能是乙的8/3，弱束缚电子基态轨道半径为乙的3/4
B.甲的施主杂质电离能是乙的3/2，弱束缚电子基态轨道半径为乙的32/9
C.甲的施主杂质电离能是乙的16/3，弱束缚电子基态轨道半径为乙的8/3
D.甲的施主杂质电离能是乙的32/9，的弱束缚电子基态轨道半径为乙的3/8

9.单项选择题如果杂质既有施主的作用又有受主的作用，则这种杂质称为（）

A.施主
B.受主
C.复合中心
D.陷阱
E.两性杂质

10.单项选择题MOS器件绝缘层中的可动电荷是（）

A.电子；
B.空穴；
C.钠离子；
D.硅离子。