铝栅重叠设计方法虽然可解决铝栅MOS工艺的缺点，但还存在哪些缺点？

问答题铝栅重叠设计方法虽然可解决铝栅MOS工艺的缺点，但还存在哪些缺点？

CGS、CGD都增大了；栅极增长，管子尺寸变大，集成度降低。

1.问答题铝栅MOS工艺的缺点是什么？

制造源、漏极与制造栅极采用两次掩膜步骤，不容易对齐

2.问答题MOS工艺包括有哪几种？MOS工艺的重要参数是什么？什么是特征尺寸？

PMOS、NMOS、COMS、BiCMOS
沟道载流子特性、栅极材料、金属层数、特征尺寸工艺可以实现的平面结构的最小尺寸

3.问答题与Si三极管相比，MESFET和HEMT存在哪些缺点？

（1）跨导相对低；
（2）阈值电压较敏感于有源层的垂直尺寸形状和掺杂程度；
（3）驱动电流小；
（4）阈值电压变化大。

4.问答题HEMT有更高截止频率更高跨导和更低噪声的原因？它的主要应用领域是什么？

HEMT有源层中，没有施主与电子的碰撞毫米波电路和光纤通信的超高速电路

5.问答题由Si/SiGe材料系统研制的HEMT取得了哪些进展？

6.问答题什么是赝晶或赝配HEMT？

因为In原子的晶格常量比Ga原子的大，因此GaInAs与GaAs或AlGaAs层之间存在着晶格不匹配的现象

7.问答题什么情况下器件的栅极通常要考虑采用蘑菇型即T型栅极？

栅长小于0.3um

8.问答题亚微米、深亚微米和纳米的具体范围是多少？

把0.35-0.8μm及以下称为亚微米级0.25um及其以下为深亚微米0.05um及其以下称为纳米级

9.问答题二维电子气是如何形成的？

当半导体表面上加一个与表面垂直的电场，在表面附近形成电子势阱，就会积累起大量的电子

10.问答题高电子迁移率晶体管（HEMT）速度高的主要原因是什么？

器件在晶体结构中存在着类似于气体的大量可高速迁移电子，即二维电子气。