由于源、漏区的掺杂浓度（）于沟道区的掺杂浓度，所以MOSFET源、漏PN结的...

填空题由于源、漏区的掺杂浓度（）于沟道区的掺杂浓度，所以MOSFET源、漏PN结的耗尽区主要向（）区扩展，使MOSFET的源、漏穿通问题比双极型晶体管的基区穿通问题（）。

1.填空题由于栅氧化层中通常带（）电荷，所以（）型区比（）型区更容易发生反型。

2.填空题P沟道MOSFET的衬底是（）型半导体，源区和漏区是（）型半导体，沟道中的载流子是（）。

3.填空题N沟道MOSFET的衬底是（）型半导体，源区和漏区是（）型半导体，沟道中的载流子是（）。

4.填空题对高频晶体管结构上的基本要求是：（）、（）、（）和（）。

5.填空题晶体管的高频小信号等效电路与直流小信号等效电路相比，增加了三个元件，它们是（）、（发射结势垒电容）和（）。

6.填空题晶体管的高频优值M是（）与（）的乘积

7.填空题基区渡越时间是指（）。当基区宽度加倍时，基区渡越时间增大到原来的（）倍。

8.填空题随着信号频率的提高，晶体管的幅度会（），相角会（）。

9.填空题无源基区重掺杂的目的是（）。

10.填空题基区穿通是指当集电结反向电压增加到使耗尽区将（）全部占据时，集电极电流急剧增大的现象。防止基区穿通的措施是（）基区宽度、（）基区掺杂浓度。