列出提高微芯片制造技术相关的三个重要趋势，简要描述每个趋势。

问答题列出提高微芯片制造技术相关的三个重要趋势，简要描述每个趋势。

1.问答题什么是硅片，什么是衬底，什么是芯片？

硅片是指由单晶硅切成的薄片；
芯片也称为管芯（单数和复数芯片或集成电路）；
硅圆片通常称为衬底。

2.填空题为了避免短沟道效应，可采用按比例缩小法则，当MOSFET的沟道长度缩短一半时，其沟道宽度应（），栅氧化层厚度应（），源、漏区结深应（），衬底掺杂浓度应（）。

3.填空题在长沟道MOSFET中，漏极电流的饱和是由于（），而在短沟道MOSFET中，漏极电流的饱和则是由于（）。

4.填空题阈电压V的短沟道效应是指，当沟道长度缩短时，V变（）。

5.填空题为提高跨导g的截止角频率ω，应当（）μ，（）L，（）V。

6.填空题MOSFET的跨导的定义是（），反映了（）对（）的控制能力。

7.填空题由于源、漏区的掺杂浓度（）于沟道区的掺杂浓度，所以MOSFET源、漏PN结的耗尽区主要向（）区扩展，使MOSFET的源、漏穿通问题比双极型晶体管的基区穿通问题（）。

8.填空题由于栅氧化层中通常带（）电荷，所以（）型区比（）型区更容易发生反型。

9.填空题P沟道MOSFET的衬底是（）型半导体，源区和漏区是（）型半导体，沟道中的载流子是（）。

10.填空题N沟道MOSFET的衬底是（）型半导体，源区和漏区是（）型半导体，沟道中的载流子是（）。