掺杂的主要目的是什么？给出硅片制造中的三种主要掺杂应用。

问答题掺杂的主要目的是什么？给出硅片制造中的三种主要掺杂应用。

1.问答题 根据下图给出的一氧化工艺的菜单实例，试说明：
（1）该工艺采用的氧化方法
（2）每一步骤的具体作用（或状态）
（3）氮气在整个工艺流程中的作用
（4）工艺过程中加入HCl的主要作用

2.问答题氧化系统的基本组成结构及每一部分的主要作用。

3.问答题什么是氧化层固定电荷？其产生的主要原因是什么？它对半导体器件的电学特性有何影响？工艺中可以用什么办法来解决？

4.问答题列出Si—SiO₂界面处的四种电荷，说明钠离子是属于哪一类电荷，以及这一类电荷会导致芯片出现什么问题，工艺中如何解决这一问题？

5.问答题试说明高压氧化技术的原理（或依据）及主要作用，并说明高低压氧化各自的控制机制和氧化层厚度的变化规律。

6.问答题什么是表面反应控制？什么是扩散控制？并说明什么情况下生长过程分别为这两种控制，以及这两种控制在生长速率上呈何种反应？

7.问答题根据氧化物的生长规律，试说明热氧化生长过程中的两个主要阶段，并说明它们分别位于氧化生长过程中的哪一时段，各自的生长模型和规律以及反映生长速率的参数和影响该参数的主要因素是什么？

8.问答题试说明氧化生长速率的基本定义及其物理含义，并说明影响氧化生长速率的主要工艺参数，及他们对生长速率的主要影响。

9.问答题试给出硅片上的热氧化生长过程的示意图，并说明其中的各物理量的基本含义。

10.问答题是说明什么是迪尔—格罗夫模型？试给出迪尔—格罗夫模型两种极限情况的示意图。并说明其物理意义。