湿氧氧化采用的氧化水温是（）。

下面哪些元素属于半径较小的杂质原子？（）

目前制备SOI材料的主流技术有几种？（）

影响封装芯片特性的温度有（）。

掺杂后退火时间一般在（）。

进行光刻工艺前的清洗步骤是（）。

掺杂后，退火的目的是（）。

厚膜电阻的成分，一是导体颗粒，二是（）。

化学机械抛光液的主要成分不包括的是哪个？（）

当许多损伤区连在一起时就会形成连续的非晶层，开始形成连续非晶层的注入剂量称为（）。