为提高CMOS集成电路的抗自锁能力，可在版图设计上采取哪些措施？

由于衬底材料的缘故会自动产生电容，这种电容称为（）。

利用2μm×6μm的多晶硅栅极覆盖在4μm×12μm薄氧化层的正中间构成一个MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算栅极电容。

比较砷化镓和磷化铟等衬底与硅衬底上的电感等效电路，试分析两者存在差异的原因。

由硅片生产的半导体产品，又被称为（）。

在晶体材料中，对于长程有序的原子模式最基本的实体就是（）。

MOS器件存在哪些二阶效应？

集成电容主要有几种结构？

把半导体级硅的多晶硅块，转换成一块大的单晶硅的过程，称作（）。生长后的单晶硅被称为（）。

MOS场效应管（MOSFET）在20世纪70年代得到了广泛的接受，从那时起到现在一直是集成电路的主流晶体管。MOSFET有两类（）和（）。每种类型可由各自器件的多数载流子来区别。