A.扩散（包括氧化、膜淀积和掺杂工艺） B.光刻 C.刻蚀 D.薄膜 E.离子注入 F.抛光
（1）晶核形成，成束的稳定小晶核形成 （2）聚集成束，也称为岛生长 （3）形成连续的膜
（1）对材料具有高的选择比 （2）不会对器件带来等离子体损伤 （3）设备简单
最新试题
封装工艺中，银浆固化的温度为（）。
进行光刻工艺前的清洗步骤是（）。
厚膜电阻的成分，一是导体颗粒，二是（）。
三光检查主要是检查芯片粘贴和引线焊接之后有无各种废品。
掺杂后退火时间一般在（）。
进行沟槽填充常用的金属材料是（）。
光刻工艺的设备核心是（）。
芯片粘接的工艺过程包括（）。
金属化中可选用的金属材料有（）。
影响封装芯片特性的温度有（）。
