半导体芯片制造工半导体制造技术章节练习(2017.12.18)

问答题
简述RTP设备的工作原理，相对于传统高温炉管它有什么优势？
答案：RTP工艺是一类单片热处理工艺，其目的是通过缩短热处理时间和温度或只缩短热处理时间来获得最小的工艺热预算（Thermal...
问答题
热退火用于消除离子注入造成的损伤，温度要低于杂质热扩散的温度，然而，杂质纵向分布仍会出现高斯展宽与拖尾现象，解释其原因。
答案：离子注入后会对晶格造成简单晶格损伤和非晶层形成；损伤晶体空位密度大于非损伤晶体，且存在大量间隙原子和其他缺陷，使扩散系数...
问答题
一片硅片由0.3um厚的SiO2薄膜覆盖。所需数据见下表，玻尔兹曼常数k=1.38×10-23。（1）在1200℃下，采用H2O氧化，使厚度增加0.5um需要多少时间？。（2）在1200℃下，采用干氧氧化，增加同样的厚度需要多少时间？
答案：
问答题
说明SiO2的结构和性质，并简述结晶型SiO2和无定形SiO2的区别。
答案：结晶形SiO₂——由Si-O四面体在空间规则排列构成每个顶角的O原子与两个...
问答题
影响外延薄膜的生长速度的因素有哪些？
答案：1）温度高温区B区，生长速率对温度的变化不敏感，生长速率由气相质量输运控制，并且对反应室的几何形状和气流有很大的依赖性。...
问答题
在干法刻蚀的终点检测方法中，光学放射频谱分析法最常见，简述其工作原理和优缺点。
答案：光学放射频谱分析是利用检测等离子体中某种波长的光线强度变化来达到终点检测的目的。光强的变化反映了等离子体中原子或分子浓度...
问答题
简述电子束光刻的光栅扫描方法和矢量扫描方法有何区别。
答案：在光栅扫描方法中，每一个像素必须被逐次扫描。这样，曝光时间几乎与图形无关，图形就是通过打开和关闭快门写出来的。而已经开发...
问答题
集成电路制造中有哪几种常见的扩散工艺？各有什么优缺点？
答案：扩散工艺分类：按原始杂质源在室温下的相态分类，可分为固态源扩散，液态源扩散和气态源扩散。固态源扩散（1）.开管扩散...
问答题
热蒸发法淀积薄膜的淀积速率与哪些因素有关？淀积速率的测量采用什么办法？
答案：简述其工作原理。淀积速率与蒸发材料温度腔体形状等因素有关。淀积速率通常用石英晶体速率指示仪测量。所用器件为一个谐振板，它...
问答题
下图为直流等离子放电的I-V曲线，请分别写出a-g各段的名称。可用作半导体制造工艺中离子轰击的是其中哪一段？试解释其工作原理。
答案：ab段为无光放电区；bc段为汤生放电；c点为放电的着火点，cd段为前期辉光放电；de段为正常辉光放电区ef段为反常辉光放...

首页

题库

网课

在线模考

桌面端

半导体芯片制造工半导体制造技术章节练习(2017.12.18)

简述RTP设备的工作原理，相对于传统高温炉管它有什么优势？

热退火用于消除离子注入造成的损伤，温度要低于杂质热扩散的温度，然而，杂质纵向分布仍会出现高斯展宽与拖尾现象，解释其原因。

一片硅片由0.3um厚的SiO2薄膜覆盖。所需数据见下表，玻尔兹曼常数k=1.38×10-23。（1）在1200℃下，采用H2O氧化，使厚度增加0.5um需要多少时间？。（2）在1200℃下，采用干氧氧化，增加同样的厚度需要多少时间？

说明SiO2的结构和性质，并简述结晶型SiO2和无定形SiO2的区别。

影响外延薄膜的生长速度的因素有哪些？

在干法刻蚀的终点检测方法中，光学放射频谱分析法最常见，简述其工作原理和优缺点。

简述电子束光刻的光栅扫描方法和矢量扫描方法有何区别。

集成电路制造中有哪几种常见的扩散工艺？各有什么优缺点？

热蒸发法淀积薄膜的淀积速率与哪些因素有关？淀积速率的测量采用什么办法？

下图为直流等离子放电的I-V曲线，请分别写出a-g各段的名称。可用作半导体制造工艺中离子轰击的是其中哪一段？试解释其工作原理。