半导体材料章节练习(2018.03.20)
来源：考试资料网
参考答案：
随发射极电流变化，B-C结空间电荷区和集电区-衬底结空间电荷区宽度发生变化的时间常数。
参考答案：等离子体又叫做电浆，是由部分电子被剥夺后的原子及原子被电离后产生的正负电子组成的离子化气体状物质，它广泛存在于宇宙中，常... 参考答案：金属与半导体间没有整流作用的接触称为欧姆接触。实际上的欧姆接触几乎都是采用金属-N+N半导体或金属... 参考答案：
光刻就是将掩膜版（光刻版）上的几何图形转移到覆盖在半导体衬底表面的对光辐照敏感的薄膜材料（光刻胶）上去的工艺过程。
参考答案：
当晶体管栅偏置电压低于阈值反型点时，MOSFET中的导电过程。
参考答案：
由于漏源电压改变而引起的沿沟道长度方向上的空间电荷宽度改变所导致的漏电流偏离理想情况。