半导体材料章节练习(2020.04.17)

来源：考试资料网

1.名词解释扩散电阻

扩散电导的倒数。

2.问答题说明不同的固液生长界面形状（凸、凹、平）对电阻率径向分布的影响。

3 正常凝固是最宽熔区的区域提纯，在进行第一次熔化过后，能不能进入第二次提纯这个阶段（）.

4.问答题GaAs成为继Si之后重要半导体材料的重要特征有哪些？

5.名词解释反偏

pn结的n区相对于p区加正电压，从而使p区与n区之间势垒的大小超过热平衡状态时势垒的大小。

6.问答题x射线性质都有哪些？

参考答案：感光作用，荧光作用，电离作用，穿透能力强。x射线的折射率近视于1，衍射作用。

7.问答题例举并描出旋转涂胶的4个基本步骤。

参考答案：1，分滴，当硅片静止或者旋转得非常缓慢时，光刻胶被分滴在硅片上
2，旋转铺开，快速加速硅片的旋转到一高的转速使...

8.名词解释栅氧化层电容

参考答案：氧化层介电常数与氧化层厚度之比，表示的是单位面积的电容，记为Cox。

9.问答题假定两种半导体除禁带宽度以外的其他性质相同，材料1的禁带宽度为1.1eV，材料2的禁带宽度为3.0eV，计算两种半导体材料的本征载流子浓度比值，哪一种半导体材料更适合制作高温环境下工作的器件？

10 下列不属于三氯氢硅性质的是（）。