MOS的输出特性曲线中，给定的漏源电压下漏源电流随着栅极电压的增大而增加。

MOS型场效应晶体管的阈值电压与衬底材料的掺杂浓度是有关的。

理想的MOS管，栅极加上偏压之后，沟道表面将产生一定厚度的耗尽层。

当p沟耗尽型MOS管处于饱和工作区时，漏极将失去对漏源电流的控制能力。

p型衬底材料的MOS管，其半导体的掺杂浓度增大，阈值电压随之增大。

双极型晶体管使用中，电流最大的极是（），电流最小的极是（）。

双极型晶体管内部有（）个极，（）个区，（）个PN结。

N型衬底的MOS管的伏安特性曲线可以分为可调电阻区，饱和区和击穿区。

n沟耗尽型MOS型场效应晶体管的阈值电压一定大于相应的n沟增强型MOS管的阈值电压。

MOS管阈值电压的单位是eV。