栅极材料和半导体衬底材料的功函数差会影响MOS管的阈值电压。

理想的MOS管其栅极电压只会落在绝缘层和半导体衬底表面层上，栅极分压占比小于50%。

当p沟耗尽型MOS管处于饱和工作区时，漏极将失去对漏源电流的控制能力。

绝缘层材料质量影响MOS管的阈值电压。

半导体具有的负的温度系数的发现年份是（）年。

栅极材料与半导体材料的功函数差会因半导体材料的掺杂浓度变化而变化。

N型衬底的MOS管的伏安特性曲线可以分为可调电阻区，饱和区和击穿区。

半导体的主要特征有（）（）（）和（）。

MOS管阈值电压的单位是eV。

P沟增强型MOS管存在着一个栅极截止电压。