栅极材料和半导体衬底材料的功函数差会影响MOS管的阈值电压。

晶体管的全部应用模式中，共有（）种放大倍数。

MOS的输出特性曲线中，给定的漏源电压下漏源电流随着栅极电压的增大而增加。

（）是最早实现提纯和完美晶体生长的半导体材料。

当p沟耗尽型MOS管处于饱和工作区时，漏极将失去对漏源电流的控制能力。

理想的MOS管，栅极加上偏压之后，沟道表面将产生一定厚度的耗尽层。

实际的MOS管，绝缘层相当于一个电阻无限大的绝缘体，其中没有任何杂质和缺陷。

MOS管的伏安特性曲线含义是漏源电压与漏源电流之间的关系曲线。

MOS型场效应晶体管的阈值电压与衬底材料的掺杂浓度是有关的。

晶体管正常使用过程中，处于正偏的PN结是（）结，处于反偏的PN结是（）结。