N沟增强型MOS管衬底材料是N型掺杂半导体。

双极型晶体管内部有（）个极，（）个区，（）个PN结。

晶体管正常使用过程中，处于正偏的PN结是（）结，处于反偏的PN结是（）结。

理想的MOS管，栅极加上偏压之后，沟道表面将产生一定厚度的耗尽层。

n沟耗尽型MOS型场效应晶体管的阈值电压一定大于相应的n沟增强型MOS管的阈值电压。

MOS管的转移特性曲线指的是漏源电压与漏源电流之间的关系曲线。

半导体具有的负的温度系数的发现年份是（）年。

半导体的主要特征有（）（）（）和（）。

栅极材料和半导体衬底材料的功函数差会影响MOS管的阈值电压。

栅极材料与半导体材料的功函数差会因半导体材料的掺杂浓度变化而变化。