最新试题
MOS管阈值电压的单位是eV。
题型:判断题
MOS的输出特性曲线中,给定的漏源电压下漏源电流随着栅极电压的增大而增加。
题型:判断题
MOS型场效应晶体管的阈值电压与衬底材料的掺杂浓度是有关的。
题型:判断题
晶体管正常使用过程中,处于正偏的PN结是()结,处于反偏的PN结是()结。
题型:填空题
第一块集成电路发明于()年。
题型:填空题
MOS管的转移特性曲线指的是漏源电压与漏源电流之间的关系曲线。
题型:判断题
绝缘层材料质量影响MOS管的阈值电压。
题型:判断题
晶体管的全部应用模式中,共有()种放大倍数。
题型:填空题
双极型晶体管内部有()个极,()个区,()个PN结。
题型:填空题
处于饱和工作区的n沟耗尽型MOS管,漏极将失去对沟道电流的控制能力。
题型:判断题