MOS管的伏安特性曲线含义是漏源电压与漏源电流之间的关系曲线。

MOS型场效应晶体管的阈值电压与衬底材料的掺杂浓度是有关的。

第一块集成电路发明于（）年。

处于饱和工作区的n沟耗尽型MOS管，漏极将失去对沟道电流的控制能力。

当p沟耗尽型MOS管处于饱和工作区时，漏极将失去对漏源电流的控制能力。

MOS管阈值电压的单位是eV。

氧化铝（Al2O3）的介电常数一般低于氮化硅（Si3N4）的介电常数。

P沟增强型MOS管存在着一个栅极截止电压。

（）是最早实现提纯和完美晶体生长的半导体材料。

n沟耗尽型MOS型场效应晶体管的阈值电压一定大于相应的n沟增强型MOS管的阈值电压。