实际的MOS管，绝缘层相当于一个电阻无限大的绝缘体，其中没有任何杂质和缺陷。

N沟增强型MOS管衬底材料是N型掺杂半导体。

MOS型场效应晶体管的阈值电压与衬底材料的掺杂浓度是有关的。

双极型晶体管使用中，电流最大的极是（），电流最小的极是（）。

MOS管可以分为4类型，其中p沟增强型MOS的载流子主要是电子。

当p沟耗尽型MOS管处于饱和工作区时，漏极将失去对漏源电流的控制能力。

理想的MOS管，栅极加上偏压之后，沟道表面将产生一定厚度的耗尽层。

晶体管的全部应用模式中，共有（）种放大倍数。

第一块集成电路发明于（）年。

理想的MOS管其栅极电压只会落在绝缘层和半导体衬底表面层上，栅极分压占比小于50%。