微电子学章节练习(2019.08.21)

来源：考试资料网

1.问答题光刻胶厚度随什么变化？

参考答案：粘度越高转速越低，光刻胶就越厚

2.问答题什么是等离子体，为什么要在等离子体中使用RF能量？

参考答案：等离子是一种中性，高能量，离子化的气体，包含中性原子或分子，带电离子和自由电子。
RF能量的使用可以产生一个高...

3.问答题负胶的两大缺点是什么。

参考答案：在显影时曝光区域由溶剂引起的泡胀；曝光时光刻胶可与氮气反应从而抑制其交联。

4.名词解释平均自由程

参考答案：粒子和粒子碰撞前能够移动的平均距离。

5.问答题干法刻蚀是如何分类和定义的？

6.问答题光刻技术中的常见问题有那些？

参考答案：半导体器件和集成电路的制造对光刻质量有如下要求：
一是刻蚀的图形完整，尺寸准确，边缘整齐陡直；
二是...

7.名词解释扩散法（diffusion）

是将掺杂气体导入放有硅片的高温炉中，将杂质扩散到硅片内的一种方法。

8.问答题写出计算焦深的公试。

参考答案：DOF=入/（2*NA）²

9.问答题什么是光刻，光刻系统的主要指标有那些？

参考答案：光刻（photolithography）就是将掩模版（光刻版）上的几何图形转移到覆盖在半导体衬底表面的对光辐照敏感薄膜材...

10.填空题势垒电容反映的是PN结的（）电荷随外加电压的变化率。PN结的掺杂浓度越高，则势垒电容就越（）；外加反向电压越高，则势垒电容就越（）。

参考答案：微分；大；小