是将掺杂气体导入放有硅片的高温炉中，将杂质扩散到硅片内的一种方法。
在半导体中加入微量的其他元素的原子，可以改变半导体的导电能力和导电类型。
当MOSFET进入饱和区时有效沟道长度随漏源电压的变化而变化，从而漏电流略有增加。
沟道长度减小到一定程度后出现的一系列二级物理效应，如阈值电压的变化。
最新试题
光刻工艺对准误差包括（）。
掺杂后退火时间一般在（）。
如下哪个选项不是半导体器件制备过程中的主要污染物？（）
掺杂后，退火的目的是（）。
IC集成度和性能得以不断提高的理论基础是（）。
新的平坦化方法有哪几个？（）
化学机械抛光液的主要成分不包括的是哪个？（）
下面哪道工序主要是针对晶圆切割之后在显微镜下进行晶圆r的外观检查，是否有出现废品？（）
多层陶瓷基板多层化的方法包括（）。
湿氧氧化采用的氧化水温是（）。
