集成电路技术章节练习(2019.11.01)

来源：考试资料网

1.问答题刻蚀有哪些参数？

①刻蚀速率；
②刻蚀偏差；
③选择比；
④均匀性；
⑤刻蚀剖面。

2.判断题多晶硅栅的宽度通常是整个硅片上最关键的CD线宽。

3.问答题掺杂在半导体生产中的作用有哪些？

形成PN结；
形成电阻；
形成欧姆接触；
形成双极型有源器件的基区、发射区、集电区、MOS管的源、漏区；形成电桥作互连线。

4.问答题集成电路制造工艺中，主要有哪两种隔离工艺？目前的主流深亚微米隔离工艺是哪种器件隔离工艺，为什么？

参考答案：集成电路制造工艺中，主要有局部氧化工艺－LOCOS；浅槽隔离技术－STI两种隔离工艺。主流深亚微米隔离工艺是：STI。S...

5.问答题什么是材料系统？

由一些基本材料，如在Si，GaAs或InP制成的衬底上或衬底内，用其它物质再生成一层或几层材料。

6.填空题芯片硅片制造厂可以分为6个独立的生产区：扩散区、（）、刻蚀区、（）、（）和抛光区。

参考答案：光刻区；注入区；薄膜区

7.问答题按MOS沟道随栅压正向和负向增加而形成或消失的机理，存在着哪两种类型的MOS器件？

耗尽型：在VGS=0时导电沟道已经存在
增强型：当VGS正到一定程度才会导通

8.问答题集成电路中常用的电容有哪些？

反偏PN结电容和MOS电容器。

9.判断题在刻蚀中用到大量的化学气体，通常用氟刻蚀二氧化硅。

10.问答题什么是共价键结构？

参考答案：最外层的价电子不仅受到自身原子核的作用，还要受到相邻原子核的作用，这样每个价电子就不局限于单个原子，可以转移到相邻的原子...