微电子学章节练习(2019.11.15)

来源：考试资料网

1.问答题 施主浓度N_D=10¹⁶cm^-3的N-Si中，光注入非平衡载流子浓度Δn=Δp=10¹⁴cm^-3，计算无光照和有光照时的电导率。已知

2.问答题列出按材料分类的三种主要干法刻蚀。

参考答案：金属刻蚀、介质刻蚀、硅刻蚀

3.问答题简述集成电路封装的四个重要功能

A.保护芯片以免由环境和传递引起损坏
B.为芯片的信号输入和输出提供互连
C.芯片的物理支撑
D.散热

4.问答题简述CMOS双阱工艺，画出标准埋层双极工艺流程示意图。

5.填空题本征半导体的导电能力很弱，热稳定性很（）。

6.问答题隔离分为哪些？怎么样来做隔离？

7.判断题双极型集成电路工艺是用来制造CMOS集成电路。

8 微电子器件对加工环境的空气洁净度有着严格的要求。我国洁净室及洁净区空气中悬浮粒子洁净度标准GB50073-2001中，100级的含义是：每立方米空气中大于等于0.1m的悬浮粒子的最大允许个数为（）

9.问答题PECVD的机理？PECVD有何优势？

机理：等离子体由中性原子团、游离基、分子、离子、少量高能电子组成。
优势：可以较低温度下淀积薄膜，常是低温与低压结合

10.问答题简述负载和微负载效应的概念

参考答案：负载效应：要刻蚀硅片表面的大面积区域，则会耗尽刻蚀剂浓度使刻蚀速率慢下来；如果刻蚀的面积比较小，则刻蚀会快些
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