A.保护芯片以免由环境和传递引起损坏 B.为芯片的信号输入和输出提供互连 C.芯片的物理支撑 D.散热
A.扩散（包括氧化、膜淀积和掺杂工艺） B.光刻 C.刻蚀 D.薄膜 E.离子注入 F.抛光
（1）晶核形成，成束的稳定小晶核形成 （2）聚集成束，也称为岛生长 （3）形成连续的膜
（1）对材料具有高的选择比 （2）不会对器件带来等离子体损伤 （3）设备简单
最新试题
厚膜电阻的成分，一是导体颗粒，二是（）。
CMP的设备构成包括（）。
芯片粘接的工艺过程包括（）。
影响封装芯片特性的温度有（）。
目前制备SOI材料的主流技术有几种？（）
金属化中可选用的金属材料有（）。
当许多损伤区连在一起时就会形成连续的非晶层，开始形成连续非晶层的注入剂量称为（）。
碳纳米管场效应晶体管是未来晶体管发展趋势之一。
光刻工艺的特点包括（）。
三光检查主要是检查芯片粘贴和引线焊接之后有无各种废品。
