集成电路技术章节练习(2020.01.10)
来源：考试资料网
参考答案：用不同衬底材料（硅、砷化镓、铌酸锂等）的集成电路与分立元件以最紧凑的方式安装在另一种介质衬底板（陶瓷、聚乙烯等）上并封装... 参考答案：
指电路的输出电压VO随输入电压Vi变化而变化的性质或关系（可用曲线表示，与晶体管电压传输特性相似）。
参考答案：
低K材料：介电常数比SiO2低的介质材料
参考答案：
通过腐蚀，将光刻胶上图形完整整地转移到Si片上。
参考答案：MOSFET本征电容包括：栅-衬电容CGB；栅-源电容CGS；栅-漏电容CGDMOSFET寄生电容包括：栅-源、栅-漏覆... 参考答案：在热氧化过程中原存在硅内的某些掺杂原子显现出更高的扩散性，称为氧化增强扩散。机理：氧化诱生堆垛层错产生大量自填隙Si，间... 参考答案：沟道效应：当注入离子未与硅原子碰撞减速，而是穿透了晶格间隙时就发生了沟道效应。
控制沟道效应的方法：①倾斜硅片... 参考答案：
P阱CMOS工艺，N阱CMOS工艺和双阱CMOS工艺
参考答案：溅射法；真空蒸发法；阳极氧化法；热氧化法；热分解淀积法