集成电路工艺原理章节练习(2020.04.29)

来源：考试资料网

1.填空题SiO₂-Si界面的杂质分凝：（）过程中，（）在两种材料中重新分布，（）吸引受主杂质（B）、排斥施主杂质（P、As）。

参考答案：高温；杂质；氧化硅

2.问答题简述模塑料？

参考答案：模塑料与常见的热塑性塑料相比，模塑料具有更高的几何尺寸稳定性、更耐极端高热高湿复杂环境、耐化学品腐蚀、高机械强度等特点。...

3.问答题试画出MOS器件跨导与源漏电压的函数曲线。

4.判断题平滑是一种平坦化类型，它只能使台阶角度圆滑和侧壁倾斜，但高度没有显著变化。

5.问答题什么是离子注入时的沟道效应？列举出三种控制沟道效应的方法？

参考答案：沟道效应：单晶硅原子为长程有序排列，当注入离子未与硅原子碰撞减速，而是穿透了晶格间隙时，就发生了沟道效应，使预期的设计范...

6.判断题曝光后烘焙，简称后烘，其对传统I线光刻胶是必需的。

7.判断题大马士革工艺的名字来源于几千年前叙利亚大马士革的一位艺术家发明的一种技术。

8.判断题蒸发镀膜中电阻加热源可分为直接加热源和间接加热源，其中间接加热源是把待蒸发材料放入坩埚中，对坩埚进行间接加热。

9.判断题离子注入工艺中被掺杂的材料称为靶，靶材料可以是晶体，也可以是非晶体，非晶靶也称为无定形靶。

10.判断题CVD系统包括热壁式CVD系统和冷壁式CVD系统，在冷壁式CVD系统中侧壁温度与沉底温度相等。