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集成电路工艺原理章节练习(2020.04.22)
问答题
为什么多晶硅的干法刻蚀要采用氯基气体而不是氟基气体?
答案:
不用SF
6
等F基气体是因为Cl基气体刻蚀多晶硅对下层的栅氧化层有较高的选择比。
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判断题
PSG高温回流需要的温度要比BPSG高。
答案:
正确
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填空题
集成电路的制造分为五个阶段,分别为()、()、硅片测试和拣选、()、终测。
答案:
硅片的制备;硅片制造;装配和封装
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判断题
离子注入工艺中被掺杂的材料称为靶,靶材料可以是晶体,也可以是非晶体,非晶靶也称为无定形靶。
答案:
正确
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名词解释
填充薄膜
答案:
是指用金属薄膜填充通孔,以便在两金属层之间形成电连接。
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判断题
高密度等离子体刻蚀机是为亚0.25微米图形尺寸而开发的最重要的干法刻蚀系统。
答案:
正确
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判断题
杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种:间隙式扩散、替位式扩散。其中间隙式扩散比替位式扩散困难。
答案:
错误
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问答题
简述法刻蚀的优缺点(与湿法刻蚀比)。
答案:
优点:①刻蚀剖面各向异性,非常好的侧壁剖面控制;
②好的CD控制;
③最小的光刻胶脱落或粘附问题;<...
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问答题
简述掺氯氧化工艺。
答案:
在氧化工艺中,通常在氧化系统中通入少量的HCl气体(浓度在3%以下)以改善SiO
2
–S...
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判断题
离子注入的缺点之一是注入设备的复杂性。
答案:
正确
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