集成电路工艺原理章节练习(2020.04.22)

来源：考试资料网

1.问答题为什么多晶硅的干法刻蚀要采用氯基气体而不是氟基气体？

参考答案：不用SF₆等F基气体是因为Cl基气体刻蚀多晶硅对下层的栅氧化层有较高的选择比。

2.判断题PSG高温回流需要的温度要比BPSG高。

3.填空题集成电路的制造分为五个阶段，分别为（）、（）、硅片测试和拣选、（）、终测。

参考答案：硅片的制备；硅片制造；装配和封装

4.判断题离子注入工艺中被掺杂的材料称为靶，靶材料可以是晶体，也可以是非晶体，非晶靶也称为无定形靶。

5.名词解释填充薄膜

是指用金属薄膜填充通孔，以便在两金属层之间形成电连接。

6.判断题高密度等离子体刻蚀机是为亚0.25微米图形尺寸而开发的最重要的干法刻蚀系统。

7.判断题杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种：间隙式扩散、替位式扩散。其中间隙式扩散比替位式扩散困难。

8.问答题简述法刻蚀的优缺点（与湿法刻蚀比）。

参考答案：优点：①刻蚀剖面各向异性，非常好的侧壁剖面控制；
②好的CD控制；
③最小的光刻胶脱落或粘附问题；<...

9.问答题简述掺氯氧化工艺。

参考答案：在氧化工艺中，通常在氧化系统中通入少量的HCl气体（浓度在3%以下）以改善SiO₂–S...

10.判断题离子注入的缺点之一是注入设备的复杂性。