集成电路工艺原理章节练习(2020.04.22)

来源:考试资料网
参考答案:不用SF6等F基气体是因为Cl基气体刻蚀多晶硅对下层的栅氧化层有较高的选择比。
参考答案:硅片的制备;硅片制造;装配和封装
5.名词解释填充薄膜
参考答案:

是指用金属薄膜填充通孔,以便在两金属层之间形成电连接。

参考答案:优点:①刻蚀剖面各向异性,非常好的侧壁剖面控制;
②好的CD控制;
③最小的光刻胶脱落或粘附问题;<...
参考答案:在氧化工艺中,通常在氧化系统中通入少量的HCl气体(浓度在3%以下)以改善SiO2–S...