集成电路工艺原理章节练习(2019.05.08)

来源：考试资料网

1.问答题简述MCM的测试技术？

参考答案：测试费用高：高测试费用提醒设计者在做设计决策时必须仔细考虑测试问题。一种新设计的MCM所要进行的测试比一种成熟的MCM测...

2.问答题简要说明IC制造的平坦化工艺的作用是什么？主要有哪些方式？并解释各种方式的详细内容。

参考答案：在多层布线立体结构中，把成膜后的凸凹不平之处进行抛光研磨，使其局部或全局平坦化。
A.关于ECMP（电化学机械...

3.填空题影响CZ直拉法的两个主要参数是（）和（）。

参考答案：拉伸速率；晶体旋转速率

4.填空题硅片上的氧化物主要通过（）和（）的方法产生，由于硅片表面非常平整，使得产生的氧化物主要为层状结构，所以又称为（）。

参考答案：热生长；淀积；薄膜

5.名词解释保形覆盖

所有图形上淀积的薄膜厚度相同；也称共性覆盖。

6.判断题CVD是利用某种物理过程，例如蒸发或者溅射现象实现物质的转移，即原子或分子由源转移到衬底（硅）表面上，并淀积成薄膜。

7.名词解释扩散效应

衬底杂质与外延层杂质相互扩散，导致界面处杂志再分布的现象。

8.问答题简述多层印制电路基板制造工艺？

参考答案：裁板、内层前处理、压膜、曝光、DES连线、CCD冲孔、AOI检验、VRS确认、棕化、铆钉、叠板、压合、后处理、上PIN、...

9.判断题在CMP设备中被广泛采用的终点检测方法是光学干涉终点检测。

10.名词解释CMP

化学机械抛光。