半导体芯片制造工章节练习(2020.06.09)

问答题
简述外延薄膜的生长过程，其最显著的特征是什么？
答案：生长过程：①传输：反应物从气相经边界层转移到Si表面；②吸附：反应物吸附在Si表面；③化学反应：在Si表面进行化学反应，...
问答题
为什么晶体管栅结构的形成是非常关键的工艺？更小的栅长会引发什么问题？
答案：因为它包括了最薄的栅氧化层的热生长以及多晶硅栅的刻印和刻蚀，而后者是整个集成电路工艺中物理尺度最小的结构。多晶硅栅的宽度...
问答题
采用CF4作为气体源对SiO2进行刻蚀，在进气中分别加入O2或H2对刻蚀速率有什么影响？随着O2或H2进气量的增加，对Si和SiO2刻蚀选择性怎样变化？为什么？
答案：加入少量的氧气能够提高Si和SiO₂的刻蚀速率。加入少量的氢气可以导致Si和SiO₂
问答题
什么是无源元件？例举出两个无源元件的例子。什么是有源元件？例举出两个有源元件的例子。
答案：无源元件：在不需要外加电源的条件下，就可以显示其特性的电子元件。这些元件无论如何和电源相连，都可以传输电流。如电阻，电容...
问答题
什么是溅射产额，其影响因素有哪些？简述这些因素对溅射产额产生的影响。
答案：溅射产额：影响因素：离子质量、离子能量、靶原子质量、靶的结晶性只有当入射离子的能量超过一定能量（溅射阈值）时，才能发生溅...
问答题
解释正性光刻和负性光刻的区别？为什么正胶是普遍使用的光刻胶？最常用的正胶是指哪些胶？
答案：正性光刻把与掩膜版上相同的图形复制到硅片上，负性光刻把与掩膜版上图形相反的图形复制到硅片表面，这两种基本工艺的主要区别在...
问答题
名词解释：high-k；low-k；Fabless；Fablite；IDM；Foundry；Chipless。
答案：
问答题
集成电路制造中有哪几种常见的扩散工艺？各有什么优缺点？
答案：扩散工艺分类：按原始杂质源在室温下的相态分类，可分为固态源扩散，液态源扩散和气态源扩散。固态源扩散（1）.开管扩散...
填空题
杂质原子在半导体中的扩散机理比较复杂，但主要可分为（）扩散和（）扩散两种。
答案：替位；间隙
问答题
简述几种常用的氧化方法及其特点。
答案：制备SiO2的方法有很多，热分解淀积、溅射、真空蒸发、阳极氧化法、化学气相淀积、热氧化法等。热生长法制备的SiO2质量好...

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半导体芯片制造工章节练习(2020.06.09)

简述外延薄膜的生长过程，其最显著的特征是什么？

为什么晶体管栅结构的形成是非常关键的工艺？更小的栅长会引发什么问题？

采用CF4作为气体源对SiO2进行刻蚀，在进气中分别加入O2或H2对刻蚀速率有什么影响？随着O2或H2进气量的增加，对Si和SiO2刻蚀选择性怎样变化？为什么？

什么是无源元件？例举出两个无源元件的例子。什么是有源元件？例举出两个有源元件的例子。

什么是溅射产额，其影响因素有哪些？简述这些因素对溅射产额产生的影响。

解释正性光刻和负性光刻的区别？为什么正胶是普遍使用的光刻胶？最常用的正胶是指哪些胶？

名词解释：high-k；low-k；Fabless；Fablite；IDM；Foundry；Chipless。

集成电路制造中有哪几种常见的扩散工艺？各有什么优缺点？

杂质原子在半导体中的扩散机理比较复杂，但主要可分为（）扩散和（）扩散两种。

简述几种常用的氧化方法及其特点。