哪种化学气体经常用来刻蚀多晶硅？描述刻蚀多晶硅的三个步骤。

解释离子束扩展和空间电荷中和。

叙述氮化硅的湿法化学去除工艺。

解释光刻胶选择比。要求的比例是高还是低？

例举并解释硅中固态杂质扩散的三个步骤。

解释正性光刻和负性光刻的区别？为什么正胶是普遍使用的光刻胶？最常用的正胶是指哪些胶？

什么是掺杂？例举四种常用的掺杂杂质并说明它们是n型还是p型？

什么是结深？

干法刻蚀的目的是什么？例举干法刻蚀同湿法刻蚀相比具有的优点。干法刻蚀的不足之处是什么？

描述化学机械平坦化工艺。