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最新试题
叙述氮化硅的湿法化学去除工艺。
解释正性光刻和负性光刻的区别？为什么正胶是普遍使用的光刻胶？最常用的正胶是指哪些胶？
解释什么是暗场掩模板？
解释发生刻蚀反应的化学机理和物理机理。
例举离子注入设备的5个主要子系统。
例出光刻的8个步骤，并对每一步做出简要解释。
解释铝已经被选择作为微芯片互连金属的原因。
例举离子注入工艺和扩散工艺相比的优点和缺点。
定义刻蚀速率并描述它的计算公式。为什么希望有高的刻蚀速率？
什么是硅化物？难熔金属硅化物在硅片制造业中重要的原因是什么？
