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采用CF4作为气体源对SiO2进行刻蚀,在进气中分别加入O2或H2对刻蚀速率有什么影响?随着O2或H2进气量的增加,对Si和SiO2刻蚀选择性怎样变化?为什么?
最新试题
描述电子回旋共振(ECR)。
例举并讨论引入铜金属化的五大优点。
例举并描述光刻中使用的两种曝光光源。
什么是掺杂?例举四种常用的掺杂杂质并说明它们是n型还是p型?
描述RF溅射系统。
解释正性光刻和负性光刻的区别?为什么正胶是普遍使用的光刻胶?最常用的正胶是指哪些胶?
什么是结深?
定义刻蚀选择比。干法刻蚀的选择比是高还是低?高选择比意味着什么?
解释铝已经被选择作为微芯片互连金属的原因。
例出光刻的8个步骤,并对每一步做出简要解释。