A、30mm.20mm
B、30mm.25mm
C、25mm.20mm
D、25mm.10mm
您可能感兴趣的试卷
你可能感兴趣的试题
A.390mm×190㎜×190mm
B.390㎜×240㎜×190㎜
C.490mmX370mmX370mm
D.370mmX240mmX240㎜
A、100mm×100mm×100mm.2组
B、100mm×100mm×100mm.3组
C、100mm×100mm×300mm.2组
D、100mm×100mm×400mm.2组
A、20±5
B、20±3
C、30±3
D、40±5
A、1.2
B、2.4
C、3.6
D、1.5.3
A、55±5
B、40±5
C、80±5
D、90±5
A、100mm×100mm×100mm.5组
B、100mm×100mm×300mm.5组
C、100mm×100mm×400mm.5组
D、100mm×100mm×100mm.1组
A、5
B、10
C、15
D、20
A、1
B、2
C、4
D、5
A、-10
B、-15
C、-20
D、-25
A、100mm×100mm×100mm.3块
B、100mm×100mm×100mm.2块
C、100mm×100mm×300mm.3块
D、100mm×100mm×400mm.3块
最新试题
对于大注入下的直接复合,非平衡载流子的寿命不再是个常数,它与()。
一块半导体寿命τ=15µs,光照在材料中会产生非平衡载流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡载流子将衰减到原来的()。
原子晶体中的原子与原子之间的键能随原子间距的而迅速()
对于同时存在一种施主杂质和一种受主杂质的均匀掺杂的非简并半导体,在温度足够高、ni>>/ND-NA/时,半导体具有()半导体的导电特性。
可用作硅片的研磨材料是()
PN结的基本特性是()
如果杂质既有施主的作用又有受主的作用,则这种杂质称为()。
那个不是影响直拉单晶硅的电阻率均匀性的因素()
多晶硅的生产方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重掺硅废料提纯法4)西门子改良法5)SiCl4法6)气液沉淀法7)流化床法
CZ法的主要流程工艺顺序正确的是()