A、3个弹性模量试验试件中，有2个试件的轴心抗压强度值与用以确定试验控制荷载的轴心抗压强度值的差值超过后者的20%时，此次试验的结果无效。
B、把3个试件测值的算术平均值作为该组试件的弹性模量值总是无误的。
C、3个弹性模量试验试件中，有2个试件的轴心抗压强度值与用以确定试验控制荷载的轴心抗压强度值的差值超过后者的15%时，此次试验的结果无效。
D、3个弹性模量试验试件中，仅有1个试件的轴心抗压强度值与用以确定试验控制荷载的轴心抗压强度值的差值超过后者的20%时，则按另2个试件的弹性模量测值的算术平均值作为该组试件的弹性模量值。
您可能感兴趣的试卷
你可能感兴趣的试题
A、＜C30强度等级的砼卸荷速度取每秒0.3～0.5MPa
B、≥C30且＜C60强度等级的砼卸荷速度取每秒0.5～0.8MPa
C、≥C60强度等级的砼卸荷速度取每秒0.8～1.0MPa
D、A、B、C选项都对
A、＜C30强度等级的砼加荷速度取每秒0.3～0.5MPa
B、≥C30且＜C60强度等级的砼加荷速度取每秒0.5～0.8MPa
C、≥C60强度等级的砼加荷速度取每秒0.8～1.0MPa
D、A、B、C选项都对
A、基准应力为3.3MPa，控制应力为11.0MPa
B、基准应力为3.3MPa，控制应力为33.0MPa
C、基准应力为0.5MPa，控制应力为11.0MPa
D、基准应力为0.5MPa，基准应力为33.0MPa
A、变形测量仪应安装于试件一侧
B、变形测量仪应安装在垂直于试件承压面的4条棱上
C、变形测量仪应安装于试件两侧的中线上并对称于试件的两端
D、变形测量仪应安装于试件两个承压面上，承压面应预先开好安装槽
A、每次试验应制备6个试件
B、每次试验的6个试件，3个用于进行轴心抗压强度试验，另3个用于测定弹性模量
C、每次试验的6个试件都是用于测定弹性模量，因为标准规定静力受压弹性模量试验是6个试件为一组
D、每次试验的6个试件，1个用于进行轴心抗压强度试验，另5个用于测定弹性模量
A、小于C60强度等级的100×100×300mm棱柱体试件为1.05
B、小于C60强度等级的100×100×300mm棱柱体试件为0.95
C、小于C60强度等级的200×200×400mm棱柱体试件为0.95
D、小于C60强度等级的200×200×400mm棱柱体试件为1.05
A、11.9MPa
B、21.1MPa
C、47.5MPa
D、45.1MPa
A、同组3个试件测值中，最大值和最小值与中间值的差值均超过中间值的15%时，该组试件的试验结果无效。
B、不总是能把同组3个试件测值的平均值作为该组试件的抗压强度值。
C、同组3个试件测值中，若出现最大值或最小值与中间值的差值超过中间值的15%，则该组试件的试验结果无效。
D、同组3个试件测值中，最大值或最小值只要有1个且仅有1个与中间值的差值超过中间值的15%，就要把最大值和最小值一并舍除。
A、＜C30强度等级的砼加荷速度取每秒12.0～20.0kN
B、≥C30且＜C60强度等级的砼加荷速度取每秒20.0～32.0kN
C、≥C60强度等级的砼加荷速度取每秒32.0～40.0kN
D、C25级砼加荷速度取每秒0.3～0.5MPa
A、＜C30强度等级的砼加荷速度取每秒0.3～0.5MPa
B、≥C30且＜C60强度等级的砼加荷速度取每秒0.5～0.8MPa
C、≥C60强度等级的砼加荷速度取每秒0.8～1.0MPa
D、A、B、C选项都对
最新试题
属于晶体缺陷中面缺陷的是（）
杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是（）
在通常情况下，GaN呈（）型结构。
改良西门子法的显著特点不包括（）
表面态中性能级位于费米能级以上时，该表面态为（）；
铸造多晶硅中氢的主要作用包括（）
与半导体相比较，绝缘体的价带电子激发到导带所需的能量（）
下列哪个不是单晶常用的晶向（）
可用作硅片的研磨材料是（）
原子晶体中的原子与原子之间的键能随原子间距的而迅速（）