最新试题
常压的硅外延方法有()。
刻蚀工艺可以和以下哪个工艺结合来实现图形的转移?()
湿氧氧化采用的氧化水温是()。
目前制备SOI材料的主流技术有几种?()
硅暴露在空气中,在室温下即可产生二氧化硅层,厚度约为()。
三光检查主要是检查芯片粘贴和引线焊接之后有无各种废品。
CMP的设备构成包括()。
刻蚀过程中聚合物形成的来源有()。
注入损伤与注入离子的以下哪个参数无关?()
新的平坦化方法有哪几个?()